Запропоновано нову модель опису явища електропровідності в тонких полікристалічних металічних плівках. Вважається, що плівка складається з двох паралельних шарів - поверхневого й об'ємного - з відмінними фіксованими параметрами питомого опору і термічного коеффіцієнта опору. У рамках моделі вдалося розділити внески у питомий опір полікристалічних плівок Cr і Cu зерномежового і поверхневого розсіянь носіїв заряду для температур 0 і 300 К. Інтерпольовано температурні залежності електричного опору тонких плівок різної товщини.

Подано результати вивчення термоелектричних властивостей тонких (0,05 - 0,5 мкм) і товстих (~ 10 мкм) плівок PbTe у діапазоні температур 80 - 300 К. Відмічено якісні та кількісні відмінності термоелектричних параметрів товстих і тонких плівок на користь останніх. Показано, що збільшення товщини тонких плівок призводить до зростання термоелектричної потужності та добротності в 1,5 - 3 рази, що перспективно для застосування в термоелектричних перетворювачах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.144

Рубрики:

Дифракція електронів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.12

Рубрики:

Електропровідність. Електричний опір

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати експериментальних і теоретичних досліджень впливу технологічних факторів вирощування, легування, окислення, термічного відпалу та радіаційного опромінення на процеси дефектоутворення в кристалах і тонких плівках халькогенідів свинцю та телуриду олова.

Індекс рубрикатора НБУВ: В1я54(4УКР)3 + В3я54(4УКР)3

Шифр НБУВ: Ж68932/мат.фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено результати еспериментальних та теоретичних досліджень фазових діаграм рівноваги бінарної системи олово-телуор, області гомогенності телуриду олова. Звернено увагу на термодинамічні властивості і квазіхімію дефектів, а також структуру енергетичних зон та кінетичні властивості SnTe.

Освещены результаты експериментальных и теоретических исследований фазовых диаграмм равновеса бинарной системы олово-телуор, области гомогенности телурида олова. Обращено внимание на термодинамичекие свойства, а также структуру енергетических зон и кинетические свойства SnTe.

Висвітлено результати експериментальних і теоретичних досліджень термоелектричних властивостей кристалів і тонких плівок телуриду свинцю. Звернено увагу на способи вирощування матеріалів, залежність їх термоелектричних параметрів від конценрації носіїв струму, температури та структурного стану. Запропоновано шляхи оптимізації термоелектричної добротності як телуриду свинцю, так і його аналогів.

Освещены результаты экспериментальных и теоретических исследований термоелектрических свойств кристаллов и тонких пленок телурида свинца. Акцентировано внимание на способах выращивания материалов, зависимости их термоелектрических параметров от концентрации носителей тока, температуры и структурного состояния. Предложены пути оптимизации термоелектрической добротности как телурида свинца, так и его аналогов.

Ключ. слова: телурид кадмію, легування, дефекти, компенсація
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602

Рубрики:

Кристалічна будова кадмію та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: плівки, селенід свинцю, легування, квазіхімічні рівняння
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.402.6

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За умов утворення дво- та чотиризарядових вакансій олова зроблено аналіз механізмів дефектоутворення у нестехіометричному телуриді олова та за умов самолегування.

The analysis of defect states at the mechanisms of nonstoichiometry and selfdoping in Tin Telluride by the crystalloquasichemical method at the condition existing of doubly- and quadri charged Tin vacancies is made

Запропоновано кристалоквазіхімічні моделі утворення власних атомних дефектів у телуриді кадмію у процесі нестехіометрії; легування киснем, хлором, індієм; утворення твердих розчинів з ізо- і гетеровалентним заміщенням.

Crystal-quasichemical models of own atomic defects formation on a cadmium telluride at the next nonstoichiometry processes are proposed: doping by chlorine, indium, and solid solution formation with isovalent and heterovalent substitution

Розкрито суть основних фундаментальних понять і законів квантової фізики атомів, молекул і конденсованих систем. Розглянуто питання атомної фізики, фізики молекул, кристалічних твердих тіл і квантових рідин, а також когерентні прояви квантових ефектів у макроскопічних масштабах (когерентне випромінювання, надтекучість і надпровідність). На підставі досягнень сучасної квантової теорії конденсованих систем запропоновано концепцію квазічастинок. Викладено суть поняття симетрії.

Раскрыта сущность основных фундаментальных понятий и законов квантовой физики атомов, молекул и конденсированных систем. Рассмотрены вопросы атомной физики, физики молекул, кристаллических твердых тел и квантовых жидкостей, а также когерентные проявления квантовых эффектов в макроскопических масштабах (когерентное излучение, сверхтекучесть и сверхпроводимость). На основе современной квантовой теории конденсированных систем предложена концепция квазичастиц. Изложена сущность понятия симметрии.

На підставі аналізу залежностей склад - властивості у системі PbTe - Tl запропоновано можливі кристалоквазіхімічні механізми утворення дефектів: заповнення талієм вакансій телуру (антиструктурні дефекти); вкорінення талію; утворення комплексу вакансія телуру - міжвузловий атом талію.

On the basis of analysis of Дcomposition-properties" dependence in the system PbTe-Tl are offered the possible crystal-quasichemical mechanisms of defects formation: filling by thallium of tellurium vacancies (anti-structural defects); inculcation thethallium; formation of Дvacancy of tellurium-interlattice atom of thallium" complex

Запропоновано модель дефектної підсистеми у плівках PbS, яка передбачає існування різних зарядових станів вакансій і міжвузлових атомів у катіонній підгратці. Одержано аналітичні вирази для залежності концентрації носіїв струму та дефектів від технологічних факторів у методі гарячої стінки. Визначено умови реалізації p - n-інверсії провідності.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: телурид германію, атомні дефекти, термоелектричні властивості
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.2 + К235.230.633

Рубрики:

Кристалічна будова германію та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у селеніді свинцю на базі апроксимації експериментальних результатів двотемпературного відпалу кристалів теоретичними моделями у припущенні існування двозарядних міжвузлових атомів та однозарядних вакансій у металевій підгратці. На підставі аналізу загальної умови електронейтральності знайдено залежності концентрації дефектів і носіїв струму від температури та парціального тиску селену під час реалізації двотемпературного відпалу.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5 + В371.331

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Фонони

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: плівки, гетероструктури, дислокації, розсіювання, рухливість
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.406.33

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ